Characterization of in-depth cavity distribution after thermal annealing of helium-implanted silicon and gallium nitride

Megtekintés/Megnyitás

011_33.pdf (1.883MB)

Szerző

Fodor B.

F. Cayrel

Petrik P.

Agocs E.

D. Alquier

Metadata

Teljes megjelenítés

URI

http://dtk.tankonyvtar.hu/xmlui/handle/123456789/5354

Collections

• Természettudomány